ศูนย์รวมอิเล็กทรอนิกส์แบบครบวงจร

One Stop Service Electronics

ค้นหาสินค้า พิมพ์เบอร์หรือชื่อแล้วกดค้นหา

      

 

1N5712
0.00 บาท
  • หมวดหมู่ :
  • ยี่ห้อสินค้า : -
  • รหัสสินค้า : -
  • Stock : -
ไม่มีสินค้า / สินค้าหมด
แจ้งเตือนเมื่อมีสินค้าเข้ามา
ติดต่อสอบถาม

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

Description/Applications The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high break­down voltage. Packaged in a low cost glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D converting, video detecting, frequency discriminating, sampling, and wave shaping. The 5082-2835 is a passivated Schottky diode in a low cost glass package. It is optimized for low turn-on voltage. The 5082-2835 is particularly well suited for the UHF mixing needs of the CATV marketplace.

Features

• Low Turn-On Voltage As Low as 0.34 V at 1 mA

• Pico Second Switching Speed

• High Breakdown Voltage Up to 70 V

• Matched Characteristics Available

Maximum Ratings Junction Operating and Storage Temperature Range

1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11..... -65°C to +200°C

5082-2835 ..................................................... -60°C to +150°C

DC Power Dissipation

(Measured in an infinite heat sink at TCASE = 25°C)

Derate linearly to zero at maximum rated temp.

1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11.....................250 mW

5082-2835 .....................................................................150 mW

Peak Inverse Voltage ................................................................ VBR

ปิดปรับปรุงระบบความคิดเห็นชั่วคราว ขออภัยในความไม่สะดวก หากลูกค้าต้องการเปิดใช้งานระบบ กรุณาติดต่อ 02-8323222 กด 2